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2025-12

星期 三

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MOS全称为Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor(金属-氧化物-半导体场效应晶体管),是一种以电压控制电流的全控型半导体器件,也是现代电子技术中相当基础、应用相当频繁的重心

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MOSFET的并联应用是解决大电流需求的常用方案,通过多器件并联可降低总导通电阻,提升电流承载能力,但需解决电流均衡问题,避免出现单个器件过载失效。并联MOSFET需满足参数一致性要求:首先是阈值电压Vth的一致性,Vth差异过大

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根据结构与工作方式,MOSFET可分为多个类别,主要点差异体现在导电沟道类型、衬底连接方式及工作模式上。按沟道类型可分为N沟道(NMOS)和P沟道(PMOS):NMOS需正向栅压导通,载流子为电子(迁移率高,导通电阻小),是主流应

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MOS的性能特点呈现鲜明的场景依赖性,其优缺点在不同应用场景中被放大或弥补。重心优点包括:一是电压驱动特性,输入阻抗极高(10^12Ω以上),栅极几乎不消耗电流,驱动电路简单、成本低,相比电流驱动的BJT优势明显;二是开关速度快,

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MOS的广泛应用离不开CMOS(互补金属-氧化物-半导体)技术的支撑,两者协同构成了现代数字集成电路的基础。CMOS技术的重心是将NMOS与PMOS成对组合,形成逻辑门电路(如与非门、或非门),利用两种器件的互补特性实现低功耗逻辑

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